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C60-20S 離子源系統

  • 更新時(shí)間:  2024-05-09
  • 產(chǎn)品型號:  C60 20S
  • 簡(jiǎn)單描述
  • C60-20S 離子源系統雖然所有離子束都會(huì )濺射或蝕刻,但我們的一些系統的表面是專(zhuān)為高效和快速濺射而設計的。濺射光束有三個(gè)特點(diǎn):高電流、大光斑尺寸和寬視場(chǎng)。這些特性的結合意味著(zhù)它們可以在大面積上盡快輸送大劑量的離子,以?xún)?yōu)化蝕刻速率。
詳細介紹

簡(jiǎn)介

C60-20S 離子源系統是一種高性能離子束,設計用于濺射表面,具有較小的損傷和減少的沿周濺射效應。 

C60-20S 離子源系統在高達20 kV的電壓下工作,可有效地濺射材料,且損傷較小,無(wú)需重新沉積碳。

C60是XPS、AES和SIMS的理想升級組件,可在多種材料上均勻濺射。

       

 

主要參數



主要應用                濺射                
光斑尺寸                100 µm                
掃描范圍                4 x 4 mm                
能耗范圍                5 – 20 kV                
電流范圍                50 nA                
法蘭至機頭長(cháng)度                142 mm                
推薦工作距離                50 mm                
電源裝置                3U x 19’’ rack mountable unit    
電源要求                110-240VAC 13A 50/60Hz                
軟件要求                        PC running Windows 10 or later                   
集成法蘭規格                NW 63 CF                














特點(diǎn):  

  電流密度高,蝕刻速度更快;

◇  與單原子束相比,可減少化學(xué)損傷;

◇  不同材料和晶體取向的濺射率一致

◇  閘閥,便于快速維修;

◇  源壽命長(cháng);



應用領(lǐng)域: 

◇  聚合物的高速、低化學(xué)損傷蝕刻;

◇  C60離子濺射的速度比單原子束(包括氬和氙)快50倍,同時(shí) 對底層材料造成的損害要小得多;

◇  下圖比較了15kev的C60濺射產(chǎn)率與15kev金、氙鎵和氬的TRIM數據。在相反的例子中,用C60和單原子氬離子束濺 射清洗PTFE薄膜;

◇  雖然兩種離子束都去除了表面污染,但只有C60離子束的表 面化學(xué)性質(zhì)沒(méi)有發(fā)生變化;

         



               


        

   




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